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SI5943DU-T1-GE3

SI5943DU-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI5943DU-T1-GE3
PNEDA Part # SI5943DU-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.698
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI5943DU-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI5943DU-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI5943DU-T1-GE3, SI5943DU-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 104,76 KB)
PDFSI5943DU-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 7

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SI5943DU-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 6V
Potenza - Max8.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® ChipFet Dual

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Advanced Linear Devices Inc.

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Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 6V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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