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SI5943DU-T1-E3

SI5943DU-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI5943DU-T1-E3
PNEDA Part # SI5943DU-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.758
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI5943DU-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI5943DU-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI5943DU-T1-E3, SI5943DU-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 104,76 KB)
PDFSI5943DU-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI5943DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 7

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SI5943DU-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 6V
Potenza - Max8.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® ChipFet Dual

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 20V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2352pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 20V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

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