SI5475DC-T1-GE3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI5475DC-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI5475DC-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.730 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI5475DC-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI5475DC-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI5475DC-T1-GE3, SI5475DC-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 110,49 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI5475DC-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI5475DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI5475DC-T1-GE3
- SI5475DC-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI5475DC-T1-GE3 Stock
- SI5475DC-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI5475DC-T1-GE3
- SI5475DC-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI5475DC-T1-GE3 Price
- SI5475DC-T1-GE3 Distributor
SI5475DC-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V Funzione FET Depletion Mode Dissipazione di potenza (max) 290W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-SCH Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 25V Funzione FET Depletion Mode Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9940pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
