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SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4916DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4916DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4916DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4916DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4916DY-T1-E3, SI4916DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 191,1 KB)
PDFSI4916DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI4916DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI4916DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max3.3W, 3.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 20V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W, 2W

Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

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