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SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4913DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4913DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4913DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4913DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4913DY-T1-E3, SI4913DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 105,77 KB)
PDFSI4913DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4913DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4913DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4913DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4913DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4913DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6

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SI4913DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

870nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI5999EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

496pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® ChipFet Dual

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Potenza - Max

20.2W, 40W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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