SI4910DY-T1-E3
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Numero parte | SI4910DY-T1-E3 |
PNEDA Part # | SI4910DY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.536 |
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SI4910DY-T1-E3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI4910DY-T1-E3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI4910DY-T1-E3, SI4910DY-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 102,66 KB)
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SI4910DY-T1-E3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
Potenza - Max | 3.1W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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