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SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4834CDY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4834CDY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4834CDY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4834CDY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4834CDY-T1-GE3, SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 208,43 KB)
PDFSI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI4834CDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI4834CDY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 15V
Potenza - Max2.9W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta), 15.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

647pF @ 10V

Potenza - Max

890mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Potenza - Max

1.04W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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