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SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4804CDY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4804CDY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.944
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4804CDY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4804CDY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4804CDY-T1-GE3, SI4804CDY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 89,34 KB)
PDFSI4804CDY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI4804CDY-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI4804CDY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds865pF @ 15V
Potenza - Max3.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

741pF @ 20V

Potenza - Max

4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 20V

Potenza - Max

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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