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SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4204DY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4204DY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.054
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4204DY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4204DY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4204DY-T1-GE3, SI4204DY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 190,32 KB)
PDFSI4204DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4204DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI4204DY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2110pF @ 10V
Potenza - Max3.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2163pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini6-F2

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1478pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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