SI3442BDV-T1-GE3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI3442BDV-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI3442BDV-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.348 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI3442BDV-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI3442BDV-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI3442BDV-T1-GE3, SI3442BDV-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 184,33 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI3442BDV-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI3442BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-GE3
- SI3442BDV-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI3442BDV-T1-GE3 Stock
- SI3442BDV-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI3442BDV-T1-GE3
- SI3442BDV-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI3442BDV-T1-GE3 Price
- SI3442BDV-T1-GE3 Distributor
SI3442BDV-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 860mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 21A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5521pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 310mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Produttore Vishay Siliconix Serie E Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1851pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie SDMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta), 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2420pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
