SI2329DS-T1-GE3
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| Numero parte | SI2329DS-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI2329DS-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 50.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI2329DS-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI2329DS-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI2329DS-T1-GE3, SI2329DS-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 228,34 KB)
  
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SI2329DS-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1485pF @ 4V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 250mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 35pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 190mW (Ta), 200mW (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
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