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SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI1539CDL-T1-GE3
PNEDA Part # SI1539CDL-T1-GE3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V SOT363
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 804.756
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1539CDL-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1539CDL-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1539CDL-T1-GE3, SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 242,5 KB)
PDFSI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI1539CDL-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C700mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs388mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds28pF @ 15V
Potenza - Max340mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

Potenza - Max

800mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SIA517DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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