SH8MA3TB1
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| Numero parte | SH8MA3TB1 |
| PNEDA Part # | SH8MA3TB1 |
| Descrizione | SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.716 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SH8MA3TB1 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SH8MA3TB1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SH8MA3TB1 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta), 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC, 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF, 480pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1276pF @ 15V Potenza - Max 1.19W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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