SH8K32GZETB
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| Numero parte | SH8K32GZETB |
| PNEDA Part # | SH8K32GZETB |
| Descrizione | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.178 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SH8K32GZETB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SH8K32GZETB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SH8K32GZETB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.4W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore TUMT6 |
