SGB30N60ATMA1
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| Numero parte | SGB30N60ATMA1 |
| PNEDA Part # | SGB30N60ATMA1 |
| Descrizione | IGBT 600V 41A 250W TO263-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.898 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SGB30N60ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SGB30N60ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
SGB30N60ATMA1, SGB30N60ATMA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 376,81 KB)
  
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SGB30N60ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 41A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 112A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 250W |
| Switching Energy | 1.29mJ |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 44ns/291ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 39A Potenza - Max 200W Switching Energy 370µJ (on), 2.1mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 190nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 31ns/240ns Condizione di test 480V, 39A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
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