SFAF2001GHC0G
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| Numero parte | SFAF2001GHC0G |
| PNEDA Part # | SFAF2001GHC0G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 20A ITO220AC |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.866 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SFAF2001GHC0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SFAF2001GHC0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SFAF2001GHC0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 170pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 350µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 110A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 4mA @ 800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 190°C |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F 21pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-87 Pacchetto dispositivo fornitore MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
