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SDT20120CT

SDT20120CT

Solo per riferimento

Numero parte SDT20120CT
PNEDA Part # SDT20120CT
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.468
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SDT20120CT Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSDT20120CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
SDT20120CT, SDT20120CT Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 399,89 KB)
PDFSDT20120CTFP Datasheet Copertura
SDT20120CTFP Datasheet Pagina 2 SDT20120CTFP Datasheet Pagina 3 SDT20120CTFP Datasheet Pagina 4 SDT20120CTFP Datasheet Pagina 5

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SDT20120CT Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)120V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If880mV @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr80µA @ 120V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

770mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

BAS21UE6359HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

3 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

125mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC74-6

MBRTA500200R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

MBR2X050A080

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 80V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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