SCT3160KLGC11
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| Numero parte | SCT3160KLGC11 |
| PNEDA Part # | SCT3160KLGC11 |
| Descrizione | MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT3160KLGC11 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SCT3160KLGC11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SCT3160KLGC11 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 398pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 103W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 64.3pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 430mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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