SCT3120ALGC11
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| Numero parte | SCT3120ALGC11 |
| PNEDA Part # | SCT3120ALGC11 |
| Descrizione | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 45.870 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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SCT3120ALGC11 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SCT3120ALGC11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SCT3120ALGC11 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 103W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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