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SBR10U100CT

SBR10U100CT

Solo per riferimento

Numero parte SBR10U100CT
PNEDA Part # SBR10U100CT
Descrizione DIODE ARRAY SBR 100V 5A TO220AB
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario
1 ---------- $4,2739
250 ---------- $4,0736
500 ---------- $3,8732
1.000 ---------- $3,6729
2.500 ---------- $3,5059
5.000 ---------- $3,3390
Disponibile 172.977
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR10U100CT Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR10U100CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
SBR10U100CT, SBR10U100CT Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 166,76 KB)
PDFSBR10U100CTFP Datasheet Copertura
SBR10U100CTFP Datasheet Pagina 2 SBR10U100CTFP Datasheet Pagina 3 SBR10U100CTFP Datasheet Pagina 4 SBR10U100CTFP Datasheet Pagina 5

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SBR10U100CT Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieSBR®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If670mV @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr200µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 90V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Serie

-

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Infineon Technologies

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

210µA @ 650V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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