SBLB10L25HE3/81
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| Numero parte | SBLB10L25HE3/81 |
| PNEDA Part # | SBLB10L25HE3-81 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.430 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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SBLB10L25HE3/81 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SBLB10L25HE3/81 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SBLB10L25HE3/81, SBLB10L25HE3/81 Datasheet
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SBLB10L25HE3/81 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 25V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 25V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 65ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
