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SBC856BLT3G

SBC856BLT3G

Solo per riferimento

Numero parte SBC856BLT3G
PNEDA Part # SBC856BLT3G
Descrizione TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 228.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBC856BLT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBC856BLT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
SBC856BLT3G, SBC856BLT3G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 207,77 KB)
PDFBC859CLT1G Datasheet Copertura
BC859CLT1G Datasheet Pagina 2 BC859CLT1G Datasheet Pagina 3 BC859CLT1G Datasheet Pagina 4 BC859CLT1G Datasheet Pagina 5 BC859CLT1G Datasheet Pagina 6 BC859CLT1G Datasheet Pagina 7 BC859CLT1G Datasheet Pagina 8

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SBC856BLT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NSS40301MZ4T3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

215MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2SK1445LS-V-1EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236

KSA1174PTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

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