S6M
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| Numero parte | S6M |
| PNEDA Part # | S6M |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.652 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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S6M Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S6M |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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S6M Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 75A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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