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S5K V6G

S5K V6G

Solo per riferimento

Numero parte S5K V6G
PNEDA Part # S5K-V6G
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S5K V6G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS5K V6G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S5K V6G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

21A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

612pF @ 1V, 100kHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK-3 (TO-263)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

STTH1R04

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

V10P6HM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

590mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.9mA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

1N5615

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

45pF @ 12V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

RS1DLHRHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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