S3KB M4G
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| Numero parte | S3KB M4G |
| PNEDA Part # | S3KB-M4G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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S3KB M4G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S3KB M4G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S3KB M4G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 125V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 125V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
