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S34MS04G100TFB003

S34MS04G100TFB003

Solo per riferimento

Numero parte S34MS04G100TFB003
PNEDA Part # S34MS04G100TFB003_33
Descrizione IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.384
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S34MS04G100TFB003 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS34MS04G100TFB003
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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S34MS04G100TFB003 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMS-1
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

500MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (13x15)

IDT70824L25PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SARAM

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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