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S29WS128N0SBAW013

S29WS128N0SBAW013

Solo per riferimento

Numero parte S29WS128N0SBAW013
PNEDA Part # S29WS128N0SBAW013
Descrizione IC MEMORY NOR
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29WS128N0SBAW013 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29WS128N0SBAW013
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29WS128N0SBAW013, S29WS128N0SBAW013 Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.777,56 KB)
PDFS29WS256N0SBFW012 Datasheet Copertura
S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 2 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 3 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 4 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 5 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 6 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 7 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 8 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 9 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 10 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 11

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  • S29WS128N0SBAW013 Distributor

S29WS128N0SBAW013 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AT24C128B-TH-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

BQ4015YMA-85

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Produttore

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-DIP Module (18.42x42.8)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.35x13.89)

X28HC256JI-90R5697

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Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

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