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S25FL164K0XNFIQ11

S25FL164K0XNFIQ11

Solo per riferimento

Numero parte S25FL164K0XNFIQ11
PNEDA Part # S25FL164K0XNFIQ11
Descrizione IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8WSON
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 15.573
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S25FL164K0XNFIQ11 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS25FL164K0XNFIQ11
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S25FL164K0XNFIQ11, S25FL164K0XNFIQ11 Datasheet (Totale pagine: 90, Dimensioni: 3.056,42 KB)
PDFS25FL116K0XMFB041 Datasheet Copertura
S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 2 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 3 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 4 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 5 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 6 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 7 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 8 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 9 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 10 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 11

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S25FL164K0XNFIQ11 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieFL1-K
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x8)

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16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

15MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

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-

Tensione - Alimentazione

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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96-TWBGA (9x13)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

120ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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