S1DB-13-G
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| Numero parte | S1DB-13-G |
| PNEDA Part # | S1DB-13-G |
| Descrizione | DIODE GENERAL PURPOSE SMB |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.788 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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S1DB-13-G Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S1DB-13-G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S1DB-13-G Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 580mV @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.4mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia PowerTab™, PowIRtab™ Pacchetto dispositivo fornitore PowIRtab™ Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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