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S1BLHR3G

S1BLHR3G

Solo per riferimento

Numero parte S1BLHR3G
PNEDA Part # S1BLHR3G
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S1BLHR3G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS1BLHR3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S1BLHR3G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitoreSub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SS26L MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

EGP10CHM3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SS12P2LHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 12A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

930pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

330A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.46V @ 942A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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