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S1B-TP

S1B-TP

Solo per riferimento

Numero parte S1B-TP
PNEDA Part # S1B-TP
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.078
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S1B-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS1B-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
S1B-TP, S1B-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 195,14 KB)
PDFS1M-TP Datasheet Copertura
S1M-TP Datasheet Pagina 2 S1M-TP Datasheet Pagina 3 S1M-TP Datasheet Pagina 4

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S1B-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA, HSMB
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

120µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

219pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

HER307G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SM4003PL-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123FL

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

HFA70NH60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 70A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

NSR0130P2T5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

525mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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