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S1B-E3/5AT

S1B-E3/5AT

Solo per riferimento

Numero parte S1B-E3/5AT
PNEDA Part # S1B-E3-5AT
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 53.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S1B-E3/5AT Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS1B-E3/5AT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
S1B-E3/5AT, S1B-E3/5AT Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 80,09 KB)
PDFS1JHE3/61T Datasheet Copertura
S1JHE3/61T Datasheet Pagina 2 S1JHE3/61T Datasheet Pagina 3 S1JHE3/61T Datasheet Pagina 4

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S1B-E3/5AT Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SD101CW-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 40V

Capacità @ Vr, F

2.1pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

75mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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Produttore

Microsemi Corporation

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440V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 440V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

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-65°C ~ 150°C

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