RW1C026ZPT2CR
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| Numero parte | RW1C026ZPT2CR |
| PNEDA Part # | RW1C026ZPT2CR |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.328 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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RW1C026ZPT2CR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RW1C026ZPT2CR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RW1C026ZPT2CR, RW1C026ZPT2CR Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.784,08 KB)
  
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RW1C026ZPT2CR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WEMT |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
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