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RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

Solo per riferimento

Numero parte RSS095N05FU6TB
PNEDA Part # RSS095N05FU6TB
Descrizione MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RSS095N05FU6TB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRSS095N05FU6TB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
RSS095N05FU6TB, RSS095N05FU6TB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 117,68 KB)
PDFRSS095N05FU6TB Datasheet Copertura
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RSS095N05FU6TB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.5nC @ 5V
Vgs (massimo)20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1830pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

54W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5512pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRFI9634GPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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-

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