RS3JHE3/57T
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| Numero parte | RS3JHE3/57T |
| PNEDA Part # | RS3JHE3-57T |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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RS3JHE3/57T Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RS3JHE3/57T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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RS3JHE3/57T Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 880V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 880V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia E-MELF Pacchetto dispositivo fornitore D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 710mV @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 15µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore EMD2 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 750mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 740mV @ 750mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 40V Capacità @ Vr, F 12pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOD323-2 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/297 Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 110A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
