RS1BLHR3G
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| Numero parte | RS1BLHR3G |
| PNEDA Part # | RS1BLHR3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.694 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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RS1BLHR3G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RS1BLHR3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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RS1BLHR3G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 800mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 240A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 45V Capacità @ Vr, F 14800pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 410mV @ 19A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 15V Capacità @ Vr, F 2000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 4800V Corrente - Media Rettificata (Io) 750A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 700A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 70mA @ 4800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 160°C |
