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RRU1LAM4STR

RRU1LAM4STR

Solo per riferimento

Numero parte RRU1LAM4STR
PNEDA Part # RRU1LAM4STR
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.994
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RRU1LAM4STR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRRU1LAM4STR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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RRU1LAM4STR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 800mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-128
Pacchetto dispositivo fornitorePMDTM
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123W

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD123W

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RGP10M-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

CDBJFSC5650-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

430pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDW20G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

180µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDW30G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 30A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

220µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

860pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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