RQ6E060ATTCR
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| Numero parte | RQ6E060ATTCR |
| PNEDA Part # | RQ6E060ATTCR |
| Descrizione | RQ6E060AT IS LOW ON-RESISTANCE M |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.516 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ6E060ATTCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ6E060ATTCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ6E060ATTCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.4mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 950mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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