RQ6A045APTCR
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| Numero parte | RQ6A045APTCR |
| PNEDA Part # | RQ6A045APTCR |
| Descrizione | RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ6A045APTCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ6A045APTCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ6A045APTCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 950mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V Vgs (massimo) 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4660pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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