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RQ5E050ATTCL

RQ5E050ATTCL

Solo per riferimento

Numero parte RQ5E050ATTCL
PNEDA Part # RQ5E050ATTCL
Descrizione RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
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RQ5E050ATTCL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRQ5E050ATTCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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RQ5E050ATTCL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)760mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT3
Pacchetto / CustodiaSC-96

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRLMS1503TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro6™(TSOP-6)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

AOT12N60

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRF6215LPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPB70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4810pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTM120SK68T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

816mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6696pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

357W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Pacchetto / Custodia

SP1

Venduto di recente

766161102GPTR13

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CTS Resistor Products

RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SOIC

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Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

IHLP2525AHER1R0M01

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FIXED IND 1UH 7A 18.3 MOHM SMD

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FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

CBC3225T220KR

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Taiyo Yuden

FIXED IND 22UH 780MA 351 MOHM

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

DLW5BSN191SQ2L

DLW5BSN191SQ2L

Murata

CMC 5A 2LN 190 OHM SMD

NUC2401MNTAG

NUC2401MNTAG

ON Semiconductor

CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

ACF451832-153-TD01

ACF451832-153-TD01

TDK

FILTER LC(T) SMD