RQ3E180AJTB
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| Numero parte | RQ3E180AJTB |
| PNEDA Part # | RQ3E180AJTB |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.246 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ3E180AJTB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ3E180AJTB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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RQ3E180AJTB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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