RQ3E080BNTB
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| Numero parte | RQ3E080BNTB |
| PNEDA Part # | RQ3E080BNTB |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ3E080BNTB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ3E080BNTB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ3E080BNTB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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