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RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte RN2601(TE85L,F)
PNEDA Part # RN2601-TE85L-F
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
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Disponibile 23.700
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RN2601(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN2601(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
RN2601(TE85L, RN2601(TE85L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 273,43 KB)
PDFRN2606(TE85L Datasheet Copertura
RN2606(TE85L Datasheet Pagina 2 RN2606(TE85L Datasheet Pagina 3 RN2606(TE85L Datasheet Pagina 4 RN2606(TE85L Datasheet Pagina 5 RN2606(TE85L Datasheet Pagina 6 RN2606(TE85L Datasheet Pagina 7

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RN2601(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)4.7kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSM6

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DDA113TU-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

PUMD48,165

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms, 2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

IMH8AT108

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT6

XN0111600L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini5-G1

EMA3T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

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Pacchetto / Custodia

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