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RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte RN1961(TE85L,F)
PNEDA Part # RN1961-TE85L-F
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RN1961(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN1961(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

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RN1961(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)4.7kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini6-G4-B

PUMB20,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

DMA961010R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

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