RN1106MFV(TL3,T)
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| Numero parte | RN1106MFV(TL3,T) |
| PNEDA Part # | RN1106MFV-TL3-T |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.308 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1106MFV(TL3 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1106MFV(TL3,T) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
RN1106MFV(TL3, RN1106MFV(TL3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.034,95 KB)
  
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RN1106MFV(TL3 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
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