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RMLV0416EGSB-4S2#AA0

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

Solo per riferimento

Numero parte RMLV0416EGSB-4S2#AA0
PNEDA Part # RMLV0416EGSB-4S2-AA0
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario
1 ---------- $291,7541
50 ---------- $278,0781
100 ---------- $264,4022
200 ---------- $250,7262
400 ---------- $239,3295
500 ---------- $227,9329
Disponibile 3.080
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRMLV0416EGSB-4S2#AA0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RMLV0416EGSB-4S2#AA0, RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 469,22 KB)
PDFRMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Copertura
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 2 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 3 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 4 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 5 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 6 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 7 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 8 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 9 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 10 RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Datasheet Pagina 11

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RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP2

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP (8x20)

IS61LPD51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Quad Port, Synchronous

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-PBGA (13x15)

71T75802S166BGG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

IS42S81600E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

34AA02-E/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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