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RM25C64C-LSNI-T

RM25C64C-LSNI-T

Solo per riferimento

Numero parte RM25C64C-LSNI-T
PNEDA Part # RM25C64C-LSNI-T
Descrizione IC CBRAM 64K SPI 10MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C64C-LSNI-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C64C-LSNI-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C64C-LSNI-T, RM25C64C-LSNI-T Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 2.319,81 KB)
PDFRM25C64C-LMAI-T Datasheet Copertura
RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 2 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 3 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 4 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 5 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 6 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 7 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 8 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 9 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 10 RM25C64C-LMAI-T Datasheet Pagina 11

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  • RM25C64C-LSNI-T Distributor

RM25C64C-LSNI-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria64kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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60ns

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Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

PCM (PRAM)

Tecnologia

PCM (PRAM)

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel, SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

135ns

Tempo di accesso

135ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP (18.4x14)

MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

MT29F256G08CKCABH2-10Z:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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