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RM25C512C-LTAI-B

RM25C512C-LTAI-B

Solo per riferimento

Numero parte RM25C512C-LTAI-B
PNEDA Part # RM25C512C-LTAI-B
Descrizione IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C512C-LTAI-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C512C-LTAI-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C512C-LTAI-B, RM25C512C-LTAI-B Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.345,81 KB)
PDFRM25C512C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C512C-LTAI-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria512kb (128B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-B

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (8x14)

M27V160-100K1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

16MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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