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RM25C512C-LMAI-T

RM25C512C-LMAI-T

Solo per riferimento

Numero parte RM25C512C-LMAI-T
PNEDA Part # RM25C512C-LMAI-T
Descrizione IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C512C-LMAI-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C512C-LMAI-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C512C-LMAI-T, RM25C512C-LMAI-T Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.345,81 KB)
PDFRM25C512C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C512C-LMAI-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria512kb (128B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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