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RM25C256C-LTAI-T

RM25C256C-LTAI-T

Solo per riferimento

Numero parte RM25C256C-LTAI-T
PNEDA Part # RM25C256C-LTAI-T
Descrizione IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C256C-LTAI-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C256C-LTAI-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C256C-LTAI-T, RM25C256C-LTAI-T Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.314,02 KB)
PDFRM25C256C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C256C-LTAI-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria256kb (64B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - EDO

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (10x10)

CY7C1061GE18-15ZSXI

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

AT24C08D-SSHM-T

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

4.5µs

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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8-SOIC

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